计算物理

作者：梁华, 李茂生

关键词：分子动力学模拟, 单晶铝, 孔洞, 空位

采用分子动力学方法模拟含孔洞的单晶铝单轴拉伸过程，研究晶向、孔洞体积分数、空位体积分数等对孔洞生长的影响.结果表明：对于不同的晶向，决定孔洞生长变形的微观机制不同.010晶向单轴拉伸情况下，形变机制主要是111面位错引起的堆垛层错；111晶向单轴拉伸情况下，形变机制主要是位错的移动、堆积与发射.此外，孔洞及空位的体积分数对010、111晶向的孔洞生长过程也有着明显的影响.总的来说，随着孔洞或者空位体积分数的增加，材料的杨氏模量变小，屈服强度、屈服应变下降.

来源：2019年第2期

《计算物理》期刊编辑部

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