计算物理

北大核心,JST,CSCD扩展版,WJCI,

国内刊号:11-2011/O4

国际刊号:1001-246X

计算物理杂志2019年第4期:芯片表面的冷极性分子静电阱与微阱阵列

发布日期:

作者:吴言, 刘思琪, 李胜强

关键词:冷极性分子, 静电表面阱, 微阱阵列, 蒙特卡罗(Monte Carlo)模拟

提出一种利用三根载荷金属杆来实现在芯片表面陷俘冷极性分子的静电阱.给出空间静电场等高线分布.通过调节电极电压操控阱中心距离芯片表面的高度.用经典的蒙特卡罗方法模拟冷分子被装载和囚禁的动力学过程.方案对中心速度为11 m·s-1的冷分子束,最大装载效率可以达到40%,阱中分子的温度大约为25 mK.方案可以进一步微型化、集成化,形成一维和二维静电微阱阵列,在量子计算、低维物理等方面有应用价值.

来源:2019年第4期

《计算物理》期刊编辑部

查看计算物理杂志2019年第4期

联系我们

  • 地址:北京海淀区丰豪东路2号
  • 电话:010-59872547
  • E-mail:jswl@iapcm.ac.cn

咨询工作人员