计算物理

作者：熊宗刚, 杜娟, 张现周

关键词：GeSe单层, 杂质态, 第一性原理计算

采用第一性原理的计算方法研究GeSe纳米片结构掺杂Ⅴ和Ⅶ族元素对其电子结构、形成能和跃迁能级的影响.结果表明：无论是掺杂Ⅴ族还是Ⅶ族元素，体系的形成能均随杂质半径的增加而增加.Ⅴ族元素掺杂体系的跃迁能级随杂质原子半径的增加而降低，而Ⅶ元素掺杂的体系却随杂质原子半径的增加而增加.其中，F、Cl、Br和I的掺杂为n型施主浅能级杂质，而N、P和As掺杂为p型受体深能级杂质.为相关的实验研究提供了理论参考.

来源：2019年第6期

《计算物理》期刊编辑部

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