国内刊号：11-2011/O4
国际刊号：1001-246X
发布日期:
作者：张雪颖, 冯琳
关键词：Heusler合金, Mn<sub>3</sub>Ge, C掺杂, 磁性
采用第一性原理计算方法研究C掺杂对Mn3Ge的影响.对Mn3-xGeCx的晶体结构进行几何优化，发现C原子最稳定的掺杂位置在正八面体的中心位置.研究其电子结构和总磁矩随C掺杂量的变化，发现总磁矩随着C浓度的增加先减小后增大，其中Mn3GeC0.4总磁矩接近零，可以实现完全的磁性补偿.研究Mn3GeC0.4多层膜的磁性，给出总磁矩接近零的Mn3GeC0.4多层膜结构，为Mn3Ge的实际应用提供参考.
来源：2019年第6期
《计算物理》期刊编辑部