计算物理

作者：温淑敏, 姚世伟, 赵春旺, 王细军, 李继军

关键词：氮化镓, 应变, 电子结构, 光学性质, 第一性原理

使用第一性原理密度泛函理论（DFT）框架下的广义梯度近似（GGA+U）方法计算单轴应变对纤锌矿结构GaN的键长、差分电荷密度、电子结构以及光学性质的影响.结果表明：带隙随应变的增加而减小，压应变在（-1%~-3%）范围内变化时带隙变化不明显，压应变超过3%时带隙随应变的增大显著减小.光学性质研究表明，应变对介电函数虚部峰的位置和大小都产生影响，静态介电常数随应变的增大而增大；应变使GaN的吸收系数减小.

来源：2020年第1期

《计算物理》期刊编辑部

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