国内刊号:11-2011/O4
国际刊号:1001-246X
发布日期:
作者:闫宇星, 张珏璇, 郑帅, 汪帆, 熊琳强
关键词:ZnNb<sub>2</sub>O<sub>6</sub>, 间隙原子, 光电性能, 第一性原理
基于密度泛函理论第一性原理,研究Zn、Nb、O间隙原子对ZnNb2O6体系光电特性的影响。分析显示:间隙原子对体系晶格畸变的影响与间隙原子几何尺寸有关。缺陷结构中,由于间隙原子电负性存在差异,也是产生晶格畸变的因素。光电特性分析显示:含有Zn、Nb间隙原子的体系表现为n型简并半导体。且Nbi表现出较强的介电效应,主要与Nb的离子势与电离能有关。Oi表现为p型简并半导体,对光电效应贡献较小。结果表明Nbi体系有良好的光电特性,在实际应用中具有较大潜力。
来源:2021年第4期
《计算物理》期刊编辑部