计算物理

作者：侯兆阳, 牛媛, 肖启鑫, 王真, 邓庆田

关键词：Al纳米线, 变形机制, 晶向, 分子动力学模拟

采用分子动力学模拟计算方法，考察具有较高层错能的Al纳米线沿不同晶向的力学行为和变形机制。在相同计算条件下与具有较低层错能的Ni、Cu、Au和Ag等FCC金属纳米线进行比较。结果表明：在力学行为方面，Al纳米线的弹性模量呈现明显的结构各向异性，满足E111 > E110 > E100的关系，这一关系在FCC金属纳米线中普遍成立；Al纳米线的屈服应力随晶向呈现σy100 > σy111 > σy110的关系，这一关系在具有较低层错能的FCC金属纳米线中不具有普遍性，这与体系中位错形成机制密切相关。根据拉伸变形过程微观结构的演变规律，阐明Al纳米线不同晶向的变形机制，并与具有较低层错能的Ni、Cu、Au和Ag等FCC金属纳米线的变形机制进行比较。结果表明，对于尺度较小的高层错能Al纳米线，Schmid因子和广义层错能均难以准确预测其变形机制。

来源：2022年第3期

《计算物理》期刊编辑部

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