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国内刊号：11-2011/O4
国际刊号：1001-246X
发布日期:
作者：黄微, 韦笃取
关键词：Hindmarsh-Rose神经元, 忆阻, 高斯白噪声, 相干共振
基于改进的电磁感应神经元模型, 研究忆阻神经Hindmarsh-Rose (HR)网络的相干共振(CR)现象。模型中除了电耦合连接相邻神经元之间的间隙外, 还使用磁耦合来描述神经元之间的场耦合效应。利用分岔图和相图对稳定点进行动力学分析, 解释了CR出现和放电模式变化的潜在动力学机制。研究发现高斯白噪声可以在忆阻神经元亚临界Hopf分岔附近的静息状态诱导CR, 且CR的出现与噪声强度增大引起的放电模式变化有关。
来源：2025年第1期
《计算物理》期刊编辑部
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