计算物理

作者：王梦蛟, 杨琛, 贺少波, 李志军

关键词：电磁感应, 电磁辐射, 忆阻突触耦合, Hopfield神经网络

本文引入两个磁控忆阻器分别模拟电磁感应和电磁辐射, 研究其对一类新颖复合指数型忆阻耦合四元Hopfield神经网络产生的影响。通过改变忆阻突触的内部参数m1以及电磁辐射耦合强度k2, 发现新系统存在多种不同的放电模式, 如周期簇发放电、混沌簇发放电、瞬态混沌尖峰放电、瞬态随机簇发放电等。通过改变系统的初始值, 发现新系统产生了5种不同的共存放电模式, 如随机簇发放电、混沌尖峰放电、周期性尖峰放电等。与不施加电磁感应与电磁辐射的原系统相比, 新系统还产生了大范围超混沌现象以及无参数状态切换现象。通过STM32单片机对新系统进行了硬件实现。

来源：2025年第3期

《计算物理》期刊编辑部

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