计算物理

作者：吴婷婷, 陈为立, 曹昕睿, 吴顺情, 朱梓忠

关键词：空位, 电子结构, 类石墨烯, 第一性原理计算

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法，对三种类石墨烯材料（即T石墨烯、HOT石墨烯和net W碳单层）中单空位和双空位的形成能以及电子结构性质进行计算。结果表明：这三种类石墨烯中双空位的形成能总是低于单空位的形成能，并且HOT石墨烯具有最小的单空位和双空位形成能。当存在单空位时，T石墨烯由金属转变为半导体，HOT石墨烯由半金属转化为金属，而net W碳单层仍为金属，双空位则不改变体系的电子性质。此外，对于这三种类石墨烯，单空位体系都具有弱磁性和平带，平带处的态密度主要来自px轨道、py轨道或px、py轨道的共同贡献。差分电荷密度图显示，空位的存在对整体电荷密度的影响是相当局域的。

来源：2026年第1期

《计算物理》期刊编辑部

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